三星 3nm GAA 商业化标志着晶体管架构的范式改变

  据韩国新闻新闻媒体报导，三星电子最近将其 3nm GAA（环栅）工艺技能商业化的最重要意义在于引领下一代晶体管架构从 FinFET（鳍式场效应晶体管）到 GAA 的范式改变陈述。

  ET News近来报导，尽管 FinFET 架构现已商业化 10 多年，但三星首先将其 GAA 技能转向量产比从 4nm 工艺节点推进到 3nm 更有意义。

  该陈述称，三星从 FinFET 到 GAA 的范式改变与英特尔在 2011 年建议的从 MOSFET 到 FinFET 的范式改变适当。这家美国芯片制作商当年将 22nm FinFET 工艺商业化，有助于将其在芯片制作技能上的领头羊坚持到 10nm 年代。

  三星在 2012 年将 FinFET 工艺归入 14nm 芯片出产中。但随着半导体出产不断向先进工艺开展，FinFET 技能终究在 7nm 以下芯片的出产中遇到了妨碍，遭受了与上图相同的“短路效应”。之前的 MOSFET 架构。这促进三星从 2017 年开端开发 MBCFET（多桥通道 FET），为 GAA 年代的到来铺平了路途，该陈述持续征引业界消息人士的话称。

  消息人士称，假如三星可以明显进步其 3nm GAA 工艺的良率，该企业能在现有客户之外开发更多新的代工客户，包含高通、特斯拉、谷歌和 Meta。

  消息人士弥补说，据报导，其3nm GAA芯片出产的试运行良率仅略高于30%，该公司开端量产后，该率能否进步还有待调查。