中国科学院微电子地点新式纳米环栅CMOS工艺与器材技能方面获发展

  集微网音讯，近来，中国科学院微电子研讨所先导中心研讨员殷华湘团队根据干流GAA晶体管的制作工艺，在体硅衬底上经过调整SiGe/Si叠层外延中底部SiGe层的Ge含量，并在后栅沟道中选用纳米级高挑选比SiGe层刻蚀技能，规划并制备出沟道结构相似鱼骨状的GAA器材。

  比较同类型的树型（Tree-like）GAA器材（TreeFET），该研讨规划的FishboneFET进一步改进N型与P型器材的电学功能失配问题，并使用单一功函数金属栅资料完成面向CMOS器材的阈值调控，处理FishboneFET晶体管在CMOS集成中的核心问题。根据上述立异技能，科研团队研制出兼容干流GAA器材工艺的CMOS FishboneFET和TreeFET器材，取得高的N/PFET器材电流开关比，在单一功函数金属栅下取得更为平衡的N型与P型GAA器材驱动功能匹配。

  研讨发现，N型TreeFET和FishboneFET在按捺短沟道器材的漏致势垒下降（DIBL）效应上更具优势，且TreeFET较FishboneFET具有更低的DIBL效应。科研团队提出应变SiGe nano-fin中的价带补偿理论，解说了新结构中的特别电学效应，为新式GAA晶体管导入高功能CMOS集成电路使用建立了关键技能途径。

  相关研讨成果宣布在《电气和电子工程师协会电子器材快报》；研讨工作得到中国科学院战略性先导科技专项（A类）和国家自然科学基金等的支撑。