东微半导一季报：营收结构持续优化产品性能及技术优势助力业绩持续高增

  半导发布2022年度第一季度业绩报告，业绩持续维持高增。公司一季度实现营业收入2.06亿元，同比增长45.50%。归属于上市公司股东的净利润4774.33万元，同比增长129.98%。归属于上市公司股东的扣除非经常额同比增加110.08%，环比增加8.07%。销售毛利率同比增加5.96%，环比增加3.95%。

  资料显示，东微半导是国内领先的高性能功率器件设计厂商，拥有强大的底层器件结构研发创新与产业化能力，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计企业之一。凭借优秀的半导体器件与工艺创造新兴事物的能力，东微半导与国内外工业级、车规级及各细致划分领域的龙头客户建立了长期稳定的合作伙伴关系，业绩实现持续快速成长。

  东微半导的基本的产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、以及TGBT系列IGBT产品。公司的产品大范围的应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

  近年来，东微半导持续加大研发投入，丰富产品品类与产品规格，积极地推进主要营业产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品平台的技术迭代升级，优化8英寸与12英寸芯片代工平台的产品布局，取得较好成效。依据公司发布的2021年度报告，截至2021年12月31日，公司共计拥有产品规格型号1790余款，包括高压超级结MOSFET产品(包括超级硅MOSFET)1100款，中低压SGT产品641款，IGBT产品52款。

  凭借在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的工业级、车规级应用领域计算机显示终端基础，东微半导紧抓国产替代的历史机遇，继续深耕以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、光伏逆变及储能、数据中心服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域，积累了知名的国内外客户群，与各领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。

  同时，公司大力开发以Tri-gateIGBT为代表的新型功率器件产品，迅速扩大新型产品在公司业务版图的比重，并凭借优异的产品性能进入高性能储能、光伏逆变器、直流充电桩等高效率电能转换系统应用，截至2022年一季度末累计出货超过百万颗，进入多个头部客户批量应用;值得一提的是，从产品送测到多个客户批量订单平均周期仅为3-6个月，体现出产品优异的性能和可靠性。

  2021年，东微半导实现营业收入7.82亿元，比上年同期增长153.28%;实现归属于上市公司股东的净利润1.47亿元，比上年同期增长430.66%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1.41亿元，比上年同期增长588.67%。同时，公司主要经营业务收入在各产品系列均实现稳步增长。

  具体来看，2021年，公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入约5.7亿，同比增长128.27%;中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入约2.06亿，同比增长246.85%;公司超级硅MOSFET产品全年实现营业收入较2020年同期增长432.63%;公司Tri-gateIGBT产品首次量产出货，全年实现营业收入568.17万元。

  在IGBT领域，公司的TGBT是基于新型的Tri-gateIGBT器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，第一代TGBT电流密度已达到国际主流第七代IGBT水平，公司第二代TGBT技术开发顺利，具备了赶超国际最为先进的IGBT芯片的技术实力。此外，公司正在积极进行12英寸TGBT技术的扩产，产品规格将进一步丰富，送测验证、批量供货工作均顺利开展。

  在超级结领域，东微半导在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平，第四代研发成功并开始出货。

  在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。

  基于先进的技术水平，东微半导的商品市场竞争力逐步提升。例如公司自主研发的超级硅 MOSFET 产品，通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈。公司的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，区别于国际主流 IGBT 技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，非常适合于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS 电源、电机驱动、 电焊机、光伏逆变器等领域。

  强大的研发技术创新实力叠加优越的产品性能，使东微半导的业绩得以持续高增长，这并非低价抢量扩大市场规模，而是科学技术创新带来的价值提升。东微半导的产品以工业级应用和车规级应用为主，2021年上述领域营收占比超过60%。众所周知，工业级、车规级应用领域对功率器件的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用终端，驱动产品平均单价明显高于消费级应用的产品平均单价。

  受益于新能源汽车充电桩、新能源汽车车载充电机、通信电源、光伏逆变器、数据中心服务器电源等终端市场需求快速提升，公司在上述领域收入增长迅猛。在产品收入全面增长的同时，东微半导凭借产品优异性能促使综合毛利率持续提升，实现高质量发展。

  功率半导体产业作为信息产业的基础，是国民经济与社会持续健康发展的战略性产业。随市场需求增大催动的产能紧张、国内功率半导体技术的进步等综合因素，功率半导体国产替代已按下了加速键，国产企业慢慢的开始崭露头角。

  作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，东微半导坚持走在“有技术难度、国产化率低”的高性能高可靠性产品的研发路上，广泛布局长期高增长市场。近年来，东微半导持续专注半导体器件结构创新，大部分授权专利聚焦器件底层结构创新，积极地推进第三代半导体产品的开发，实现高性能功率器件技术全覆盖。

  公司在主要营业产品方面均已具备了国内领先甚至国际领先的核心技术，并在核心技术的基础上实现了高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及TGBT产品的量产与销售。公司的高压超级结MOSFET产品关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域，公司的产品技术水平亦达到了国内领先水平。公司的超级硅系列MOSFET产品已经研发成功并实现量产出货，实现了比传统超级结更优的动态性能，可在系统中替换氮化镓器件，获得了众多客户的认可。公司提出的新型结构TGBT的多款产品进入了批量生产。公司亦提出创新的SiC器件技术路线，为积极地推进第三代半导体产品研制与产业化打下坚实的技术基础。

  2021年，公司TGBT器件已在光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用。同时，2021年公司开始布局第三代功率半导体器件，采用公司独创技术的高性能高可靠性SiC MOSFET设计，申请了多项相关专利，产品开发顺顺利利地进行。产品反向恢复时间及开关速度表现优秀,将迅速扩充规格与型号。此系列新产品将与公司的超高速系列TGBT互为补充，对采用传统技术路线的SiC MOSFET进行升级替代。

  凭借优异的技术创新实力、产业链深度整合能力和计算机显示终端定制化开发能力，东微半导将持续受益于新能源汽车、光伏逆变器、“东数西算”数据中心服务器等工业级及车规级应用领域迅速扩张带来的高性能功率器件市场加快速度进行发展。同时，公司在高端工业级功率器件领域的技术能力与产品性能已可与国际一流厂商比肩，在抓住行业本身加快速度进行发展机遇的同时拥有广阔的进口替代空间。公司的核心竞争力始终来自于技术的创新，期待东微半导在高性能功率半导体领域走出“技术流”的独特发展之路。 来源中国财经新闻网

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